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ES32F36xx系列datasheet及reference manual更新至V1.4

時間:2022-04-19 文章來源:EMSSMI 瀏覽次數:3043

變更日期:2022年4月19日

變更內容:

ES32F365x_Datasheet_C V1.4

1.表5-4中,fHCLK1,fHCLK1,fPCLK1,修訂為96MHz

2.表5-5中,增加Vstart,VDD上電初始電壓最大值200mV

3.表5-6中,根據最新實測值,修訂VBOR最小值,典型值和最大值;VBOR電壓遲滯修訂為10mV

4.表5-7,5-8,5-9中,最大值,TA=85修訂為典型值,TA=25;表5-7中,HOSC時鐘源,所有外設使能條件下,IVDD修訂為96MHz 24.6mA 72MHz 19.8mA 48MHz 14.0mA 36MHz 11.0mA 24Mhz 7.6mA

5.表5-10中,最大值(VDD=5V,TA=85)修訂為典型值,外設關閉條件下的參數由134修訂為137

6.表5-11中,最大值(VDD=5V,TA=85)修訂為典型值,且修正所有參數值。

7.表5-12中,修訂standby模式下的電流特性,且增加備注:STANDBY模式下的電流特性值,是基于PIN1與其他VDD保持約0.3V壓差的測試條件下得到的。

8.表5-16中,CL1,CL2的典型值修訂為15

9.表5-18,ACCHRC24M,最大值修訂為3,IDD,HRC電流,24MHz,典型值修訂為160

10.表5-19,ACCLRC精度在全溫度范圍內修訂為10%

11.表5-20,ACCULRC,TA=25,最大值修訂為10,TA=–40~85°C,最大值修訂為30

12.表5-26中,VIL增加TA=–40~+85°CVDD=3.3V條件下的特性值;VIH增加TA=–40~+85°CVDD=3.3V條件下的特性值;IOL在VDD=2.5V VOL=0.2V的條件下,最小值,典型值,最大值修訂為0.6,0.8和1.0;I/O上下拉電阻RPU和RPD最小,典型和最大值修訂為34,35,36kΩ。

13.更新5.5.11章節的電流驅動曲線圖

14.表5-33中,修訂VREFP_INT,VDD=3.3V~5V,最小值為1.95,最大值為2.10

15.表5-34,ERRINL最大值修訂為14LSB

16.表5-35,ERRDNL最大值修訂為8LSB;ERRINL最大值修訂為18LSB

17.表5-36中,修訂ERRDNL最大值為7;修訂ERRINL,典型值為25,最大值為40

18.修訂圖5-1

19.章節3.2管腳功能定義中,ACMP0修訂為ACMP


ES32F366x_Datasheet_C V1.4

1.表2-1中,GPIO數量修訂為88,52,36

2.表5-4中,fHCLK1,fHCLK2,fPCLK1,修訂為96MHz

3.表5-5中,增加Vstart,VDD上電初始電壓最大值200mV

4.表5-6中,根據最新實測值,修訂VBOR最小值,典型值和最大值

5.表5-7,5-8,5-9中,最大值,TA=85修訂為典型值,TA=25;表5-7中,HOSC時鐘源,所有外設使能條件下,IVDD修訂為96MHz 24.6mA 72MHz 19.8mA 48MHz 14.0mA 36MHz 11.0mA 24Mhz 7.6mA

6.表5-10中,最大值(VDD=5V,TA=85)修訂為典型值,外設關閉條件下的參數由134修訂為137

7.表5-11中,修訂STOP2模式下的功耗值

8.表5-12中,修訂standby模式下的電流特性,并增加備注:STANDBY模式下的電流特性值,是基于PIN1與其他VDD保持約0.3V壓差的測試條件下得到的。

9.表5-16中,CL1,CL2的典型值修訂為15

10.表5-18,ACCHRC24M,最大值修訂為3,IDD,HRC電流,24MHz,典型值修訂為160

11.表5-19,ACCLRC精度在全溫度范圍內修訂為10%

12.表5-20,ACCULRC,TA=25,最大值修訂為10;TA=–40~85°C,最大值修訂為30

13.表5-26中,IOL在VDD=2.5V VOL=0.2V的條件下,最小值,典型值,最大值修訂為0.6,0.8和1.0;I/O上下拉電阻RPU和RPD最小,典型和最大值修訂為34,35,36kΩ。

14.表5-35,ERRINL最大值修訂為14LSB

15.表5-36,ERRDNL最大值修訂為8LSB;ERRINL最大值修訂為18LSB

16.表5-37中,修訂ERRDNL最大值為7;修訂ERRINL,典型值為25,最大值為40

17.修訂圖5-1

18.章節3.2管腳功能定義中,ACMP0修訂為ACMP


ES32F369x_Datasheet_C V1.4

1.表5-4中,fHCLK1,fHCLK2,fPCLK1,修訂為96MHz

2.表5-5中,增加Vstart,VDD上電初始電壓最大值200mV

3.表5-6中,根據最新實測值,修訂VBOR最小值,典型值和最大值;VBOR電壓遲滯修訂為10mV

4.表5-7,5-8,5-9中,最大值,TA=85修訂為典型值,TA=25;表5-7中,HOSC時鐘源,所有外設使能條件下,IVDD修訂為

96MHz 24.6mA

72MHz 19.8mA

48MHz 14.0mA

36MHz 11.0mA

24MHz 7.6mA

5.表5-10中,最大值(VDD=5V,TA=85)修訂為典型值,外設關閉條件下的參數由134修訂為137

6.表5-11中,修訂STOP2模式下的功耗值

7.表5-12中,修訂standby模式下的電流特性,并增加備注:STANDBY模式下的電流特性值,是基于PIN1與其他VDD保持約0.3V壓差的測試條件下得到的。

8.表5-16中,CL1,CL2的典型值修訂為15

9.表5-18,ACCHRC24M,最大值修訂為3,IDD,HRC電流,24MHz,典型值修訂為160

10.表5-19,ACCLRC精度在全溫度范圍內修訂為10%

11.表5-20,ACCULRC,TA=25,最大值修訂為10;TA=–40~85°C,最大值修訂為30

12.表5-26中,VIL(CMOS)條件下的最大值修訂為0.2xVDD;VIL(TTL)條件下,VDD=5V時,最大值修訂為0.8V,VDD=3.3V時,最大值修訂為0.6V;IOL在VDD=2.5VVOL=0.2V的條件下,最小值,典型值,最大值修訂為0.6,0.8和1.2;I/O上下拉電阻RPU和RPD最小,典型和最大值修訂為34,35,36kΩ。

13.更新5.5.11章節的電流驅動曲線圖

14.表5-34,VREFP_INT在條件VDD=3.3V~5V下,修訂為最小值1.95,最大值2.10

15.表5-35,ERRINL最大值修訂為14LSB

16.表5-36,ERRDNL最大值修訂為8LSB;ERRINL最大值修訂為18LSB

17.表5-37中,修訂ERRDNL最大值為7;修訂ERRINL,典型值為25,最大值為40

18.修訂圖5-1

19.章節3.2管腳功能定義中,ACMP0修訂為ACMP


ES32F36xx_Reference_Manual_C V1.4

1.表3-4中,WAKEUP端口中斷修訂為WAKEUP端口電平變化

2.章節5.2,添加“存儲器讀取等待時間可配置”特性的描述

3.章節5.5.2.10,修訂MSC_FLASHFPL的復位值為0x0000003F

4.章節6.4.2.3,修訂SYSCFG_USBCFG的復位值為0x01680003

5.章節7.4.3.6,修訂“APB2外設可工作”為“ACMP,LVD,IWDT,WWDT,RTC,TSENSE等可工作”

6.章節9.5.2.2,修訂CMU_CFGR的復位值為0x04000000

7.章節9.5.2.17,修訂CMU_PERIDIVR的復位值為0x00000000

8.章節14.4.2.3,修訂WWDTWIN中11設置的描述

9.章節20.5.2.16,修訂AD16C4Tn_AR的復位值為0x0000FFFF

10.章節21.5.2.3,修訂GP16C4Tn_SMCON寄存器中ETFLT的寄存器描述

11.章節32.5.2.25,修改ADCH_PBUF_EN和ADCH_NBUF_EN比特位的描述

12.章節29.5.2,修訂USB_TXIE,USB_RXIE,USB_CONFIG0的復位值為0x00000000

13.章節31.6.2,修訂QSPI_SPR,QSPI_IFR的復位值為00000000_00000000_00000000_00000000和00000000_00000000_00001000_00000000;修訂QSPI_FCWLR為(R/W),QSPI_FCWHR為(R/W)

14.更新圖25-11,圖25-12,圖25-14,圖25-25


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