變更項目：多款8位、32位產品數據手冊批量更新 

ES7P001/003：

1、第3章增加芯片唯一識別碼相關內容；
2、附錄3.1中增加芯片ESD特性參數表；
3、增加T21多功能復用輸出端口說明等。
 
HR7P169B：
1、 電氣特性部分新增芯片ESD特性；
2、 增強對SFR寄存器中的僅供測試用控制位的描述，禁止用戶設置；
3、 加強對運放應用參考電路的描述，添加放大倍數對offset影響的描述。
 
ES7P179x/ HR7P179/ HR7P179A：
1、 電氣特性部分新增芯片ESD特性；
2、 增強對SFR寄存器中的僅供測試用控制位的描述，禁止用戶設置。
 
ES7P202x/ES7P295x/HR7P169/HR7P201：
1、 電氣特性部分新增芯片ESD特性；
2、添加Flash存儲器支持至少10萬次擦寫次數，10年以上的數據保持時間。
 
HR7P153：

1、電氣特性部分新增芯片ESD特性。

ES8P508x：
1、 更新T16Nx的剎車信號標志位處理方式；
2、更新了IWDT的重載LOAD寄存器默認值；
3、 電氣特性部分新增芯片ESD特性；
4、增加ADC使用內部正參考電壓相關內容。
 
HR8P506：
1、 電氣特性部分新增芯片ESD特性；
2、修改“系統時鐘電路結構框圖”，WDT模塊添加PCLK時鐘源，添加SPI，I2C外設模塊；
3、 刪除了管腳圖備注中對PA6管腳作為輸出使用的推薦描述；
4、 修改BOR最低檔位的電壓范圍上限為2.3V；
5、更新ADC小信號offset參數；
6、 刪除SWD調試時，不能使用外部參考VREFP的描述；

7、 在“深度睡眠模式”章節，添加進睡眠模式前清所有中斷掛起標志位的備注，在深睡眠功耗特性圖中添加功耗單位。