變更項(xiàng)目：ES7P202x_Datasheet_C 
版本號(hào)：V1.8
變更內(nèi)容：
1. 添加了中斷使能位GIE/GIEL位的清零和置1操作說(shuō)明；
2. 增加了封裝尺寸的補(bǔ)充說(shuō)明，更新QFN28封裝的散熱片尺寸參數(shù)；
3. 在ADC概述章節(jié)，添加VDD/4電源分壓比精度為±1.5%；
4. 添加PC0端口的弱上拉使能控制方式的說(shuō)明，增強(qiáng)IO端口灌電流和拉電流參數(shù)特性表格描述；
5. 更新系統(tǒng)時(shí)鐘后分頻比選擇位POSDIVS<2:0>的復(fù)位默認(rèn)值為000；
6. 增強(qiáng)關(guān)于使用T10作為IAP頁(yè)擦除和編程超時(shí)計(jì)數(shù)器的具體用法描述；
7. 補(bǔ)充描述I2CRST軟件復(fù)位的寄存器和控制位，修改I2CRB寄存器為只讀屬性；
8. 對(duì)T1n/T2n的定時(shí)器模式和計(jì)數(shù)器模式時(shí)序圖進(jìn)行補(bǔ)充完善，對(duì)T2n的外部計(jì)數(shù)時(shí)鐘邊沿進(jìn)行補(bǔ)充描述。
 

變更項(xiàng)目：ES7P2032_Datasheet_C 
版本號(hào)：V1.4
變更內(nèi)容：
1. 新增SOP16封裝信息；
2. 更新中斷內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖及中斷源最多支持個(gè)數(shù)；
3. 更新TKFCTL寄存器位的相關(guān)描述；
4. 更新WDTEN和SWDTEN的配置說(shuō)明；
5. 更新QFN28封裝的散熱片尺寸參數(shù)。


變更時(shí)間：2019年11月26日